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4インチSICウェハ (Production／4H-N) 研究用 1枚入の詳細情報
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
●グレード：Production
●タイプ：4H
●Surface orientation error：＜11-20＞4±0.15度
●ドーパント：n-type
●抵抗率：0.015～0.025Ω
●直径：99.5～100mm
●厚み：350±25マイクロm
●1次オリフラ：[1-100]±5度
●1次オリフラ長さ：32.5±1.5mm
●2次オリフラ：18±1.5mm
●TTV：5マイクロm以下
●Bow：-15～15マイクロm
●Warp：20マイクロm以下
●表面仕上げ：Si面 CMP Si-faceCMP
●表面粗さ(Si-face)：Ra0.2nm以下(5マイクロm*5マイクロm)
●マイクロパイプ：1ea／cm2以下
●BPD：2000ea／cm2以下
●TSD：500ea／cm2以下
●ブラックレーザーマーキング：1mm(from top edge)
●数量：1枚(1箱)
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
●事業者向け商品です。
リニューアルに伴い、パッケージ・内容等予告なく変更する場合がございます。予めご了承ください。
広告文責：グループ株式会社
050-5212-8316
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